【深铭易购】资讯：据韩国经济日报（SEDaily）8月31日报道，受人工智能（AI）基础设施建设持续推进影响，高带宽内存（HBM）需求快速增长，三星电子正通过长期供应协议（LTA）锁定大部分存储器产能。三星计划将约60%至70%的总存储器产能纳入LTA，部分协议期限最长延伸至2031年。随着越来越多产能被长期协议锁定，内存市场的传统周期性供应模式正在发生变化，现货市场与长协市场之间的价格差距也进一步扩大。

三星电子在7月30日公布第二季度业绩时表示，公司计划通过LTA分配约60%至70%的总生产能力，并已经与全球前五大数据中心客户签署相关协议，同时正在与另外5家主要客户进行最终谈判。据SEDaily报道，微软、英伟达和谷歌等大型科技企业均属于相关长期供应协议的主要客户。

三星电子内存业务负责人金在俊表示，目前几乎所有客户都在寻求通过LTA获得稳定供应，但公司现有可用产能难以满足全部需求。为兼顾长期订单与供应灵活性，三星计划将约60%至70%的产能纳入LTA，协议通常以5年为基本期限，并采用滚动续约模式，即每年对后续供应安排进行重新协商。此外，部分协议还包含预付款条款，以进一步强化供需双方的合作约束。

LTA正在成为AI时代内存供应链的重要组成部分。对于存储器制造商而言，长期协议能够提高未来需求的可预测性；对于大型云服务商和AI基础设施企业而言，则有助于提前锁定关键存储器供应，从而降低市场供应紧张带来的采购风险。

不过，长协价格与现货价格之间目前存在较大的差距。据SEDaily披露，36GB HBM3E模块在现货市场的价格约为287万韩元，而同类产品通过LTA采购的价格约为50万至70万韩元，现货价格约为长协价格的4至5倍。这一明显的价差也反映出AI服务器需求快速增长背景下，内存现货市场供应趋紧的状况。

韩国贸易协会数据显示，今年7月韩国DRAM出口数量为5.9174亿个，同比下降13.2%，但出口额达到135.5亿美元，同比增长18.5%。同期DRAM出口单价由16.76美元升至22.9美元，同比增长36.6%，呈现出明显的“出口量下降、出口金额和单价上升”趋势。

DRAM供应趋紧与HBM产品升级密切相关。随着HBM4逐步进入量产阶段，新一代产品采用16层堆叠结构，相较HBM3E需要消耗更多DRAM晶圆。同时，HBM4在量产初期的良率仍低于成熟产品，因此生产同等数量的HBM需要投入更多晶圆资源。这不仅推高了HBM4的制造成本，也在一定程度上挤压了传统DRAM产品的供应。

目前，部分16层HBM4产品在非长协渠道的价格已经达到约480万韩元。与此同时，韩国HBM平均出口单价也从今年第一季度的40.94美元升至第二季度的60.22美元，涨幅约47%。韩国半导体产业协会专务安基贤表示，HBM每次进行产品升级时，初期良率通常会出现阶段性下降，而HBM4价格约为前代产品的两倍。随着厂商扩大HBM生产规模，生产过程中对DRAM晶圆的消耗量也会进一步增加，从而对整体DRAM供应形成压力。

在AI需求持续增长以及存储器厂商通过LTA锁定大量产能的情况下，现货市场的供应压力可能进一步加剧。三星电子管理层此前预计，由AI需求推动的存储器供应紧张局面可能持续至2028年。由于一座新晶圆厂从建设到正式投产通常需要超过3年时间，因此短期内市场很难通过新增产能迅速缓解供需矛盾。

韩国贸易协会首席研究员都元彬表示，在半导体产品生产后能够迅速被市场消化的情况下，短期内产能扩张空间有限，产品价格继续上涨将成为市场的重要趋势。

为应对AI带来的存储器需求增长，韩国主要存储器厂商正在加快扩产。三星电子正在考虑将平泽园区S5生产线由代工业务转向存储器生产，以提高相关产品产能。SK海力士也在研究海外扩产方案。SK集团会长崔泰源日前在日本仙台出席韩日商工会议所会长团会议时表示，SK海力士正在探讨与日本企业合作建立半导体合资工厂的可能性。

整体来看，AI服务器和数据中心建设正在推动HBM需求持续增长，并促使存储器供应模式从传统的现货交易和短期采购，逐渐向长期供应协议转变。随着三星等主要厂商将更多产能提前锁定，内存供应的确定性有所提高，但未能获得LTA保障的客户仍可能面临现货价格高企和供应紧张的问题。在新增产能尚未大规模释放之前，HBM及DRAM市场的供需矛盾预计仍将持续。