【深铭易购】资讯：英特尔近期公开了一项于2022年申请的专利，内容涉及将Micro LED直接集成到IC封装结构中。根据专利描述，半导体裸片可以嵌入玻璃基板内部，并利用玻璃通孔（TGV）将电力直接传输至裸片上的Micro LED，相关电源和信号则通过封装基板进一步连接至主板。

该方案中的Micro LED可以采用纳米线结构，并分别发出红、绿、蓝三种颜色的光。按照专利设想，这类技术不仅能够用于DIY电子产品的个性化装饰，还可以作为封装内部的电气测试指示灯，甚至用于在CPU表面显示发光字符。因此，Micro LED在该封装方案中既承担状态指示和测试功能，也能够增加芯片及电子产品的视觉效果。

在制造工艺方面，英特尔提出首先利用激光诱导蚀刻结合化学蚀刻，在玻璃基板中形成通孔和芯片腔体；随后通过铜电镀形成TGV结构，再将集成Micro LED的半导体裸片嵌入相应腔体。最后，通过氮化硅层将两侧的聚合物封装基板进行键合，从而实现电源和信号的垂直互连。专利同时涵盖多种结构设计，包括裸片水平或垂直放置，以及加入反射器等不同方案。

事实上，英特尔对玻璃基板的布局由来已久。自2013年起，公司便开始研究以玻璃取代传统有机基板，并持续积累相关技术和知识产权。2023年，英特尔首次公开展示玻璃基板样品，此后进一步加快了相关技术的验证和商业化进程。

在NEPCON Japan展会上，英特尔曾展示一款结合厚玻璃芯与EMIB技术的工程样品，并在约78×77毫米的大尺寸封装中实现无裂纹切割。到了ECTC 2026，英特尔进一步公布玻璃芯基板的高量产技术验证成果，覆盖成孔、金属化、多层布线以及光电集成等端到端工艺，并展示了24层无缺陷结构以及精确的翘曲控制能力。

与此同时，英特尔正在扩大玻璃基板领域的产业合作。蓝思科技旗下的一家全资子公司已与英特尔签署谅解备忘录，并将TGV先进封装作为双方优先推进的联合开发方向。根据合作分工，英特尔负责提供架构规范、可制造性设计（DFM）指南以及验证方法，蓝思方面则负责成孔、高精度激光加工、金属化沉积和多层互连布线等制造环节。据介绍，蓝思已向北美和韩国的一级客户交付相关样品，单个样品包含数百万个通孔，不导通缺陷率达到0 ppm。

此外，英特尔还与总部位于美国的半导体技术公司3D Glass Solutions展开合作，并计划在印度推进一座投资额达33亿美元的玻璃基板制造设施。该设施规划年产能约7万片玻璃基板、5000万套组装单元以及近1.3万个先进3D异质集成模块，主要面向AI芯片和高性能计算对高密度、大尺寸封装的需求，预计将在2028年至2030年间逐步进入高量产出货阶段。

从Micro LED集成封装，到TGV玻璃基板和3D异质集成，英特尔正在持续拓展玻璃芯基板的应用范围。随着大尺寸、高密度封装需求不断增长，玻璃基板有望成为先进封装技术进一步提升互连密度和系统集成能力的重要技术方向。