【深铭易购】资讯：据报道，三星电子计划进一步扩大其位于美国得克萨斯州泰勒市的晶圆厂产能，新增每月6000片2nm晶圆的生产能力。此次设备采购是三星推进美国先进制程制造布局的重要举措，也反映出该公司持续加码下一代半导体制造技术的计划。

三星泰勒厂区是其在美国建设先进芯片制造能力的重要组成部分，其中首座工厂泰勒一厂（Taylor 1）预计于2026年底投入运营。该工厂计划采用先进的极紫外（EUV）光刻设备生产2nm芯片，以支持三星在先进制程领域的竞争布局。

目前，2nm制程已成为全球半导体行业的重要技术发展方向。三星、台积电和英特尔均在推进相关技术。其中，三星与台积电的2nm技术均采用环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）架构，以增强栅极对电流的控制能力，改善晶体管性能与能效。三星将其相关技术称为多桥通道场效应晶体管（MBCFET），采用纳米片作为沟道材料，并通过栅极环绕沟道的结构实现电流控制。

在产能规划方面，据报道，三星此前已采购相关设备，目标是为泰勒厂区建立每月约1万片晶圆的生产能力。最新一轮设备订单预计将进一步增加每月6000片2nm晶圆的产能，为后续扩大先进制程生产规模提供支持。

报道称，到2027年下半年，泰勒厂区的月产能目标将达到约2万片晶圆。若将试产线产能计算在内，该厂区的总产能预计可达到这一水平。不过，相关产能规划仍应以三星后续公布的正式信息为准。

随着先进制程竞争持续升温，三星正通过扩大美国本土制造布局，推动2nm技术的商业化进程。泰勒工厂的建设进度及产能爬坡情况，将成为观察三星先进制程发展和美国半导体制造布局的重要指标。