【深铭易购】资讯：据英飞凌于10月27日公布的消息，公司计划在欧洲建设全球首个基于300毫米晶圆技术的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地，以提升芯片制造效率，扩大先进功率半导体的生产能力。

作为该项目的重要组成部分，英飞凌计划在2034年前投入约11亿欧元，用于升级其位于奥地利菲拉赫（Villach）的现有洁净室设施。该生产基地预计于2027年底投产。

与传统的200毫米（8英寸）晶圆相比，300毫米（12英寸）晶圆的单片晶圆芯片产出量可达到前者的2.3倍。更大的晶圆面积有助于优化制造工艺、提高生产效率，并为氮化镓功率半导体的规模化生产提供支持。

在资金支持方面，欧盟委员会已批准向英飞凌菲拉赫工厂的扩产计划提供3.19亿欧元国家援助。奥地利经济部门预计将在规定期限内正式落实相关资金承诺，为项目推进提供进一步支持。

随着人工智能数据中心、电动汽车、工业自动化及高效电源系统对功率半导体的需求持续增长，英飞凌此次投资有望进一步增强其氮化镓芯片的制造能力，并推动300毫米晶圆技术在功率半导体领域的应用。