【深铭易购】资讯：2023年8月21日，SK海力士高兴地宣布，我们成功研发了面向人工智能的超级强力内存新品HBM3E*！现已推出样品，并欢迎客户进行性能验证。

* HBM（High Bandwidth Memory）：这是一款让数据飞速处理的高性能产品，通过多个DRAM的垂直连接，实现了超高带宽。HBM DRAM系列包括HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代），以及全新的HBM3E（第五代）。

SK海力士非常自豪地宣称：“借助我们在HBM3量产方面的丰富经验，我们打造出了全球无与伦比的超级HBM3E！凭借着业界最大规模的HBM供应经验和成熟度，我们将在明年上半年全面投产HBM3E，继续在人工智能存储市场中引领风骚。”

消息透露，HBM3E不仅满足了人工智能存储器的速度需求，还在热控制和用户便捷性等方面实现了全球最高水准。这款内存的速度表现也相当抢眼，每秒最高可处理1.15TB（太字节）的数据，相当于在1秒钟内能完成230部全高清（FHD）级电影（5千兆字节，5GB）的处理工作。

更棒的是，SK海力士的技术团队还采用了最新的Advanced MR-MUF*技术，将散热性能提升了整整10%，相较前一代产品有着显著的进步。此外，HBM3E还具有向后兼容性**，使得客户在使用基于HBM3的系统时，无需对设计或结构进行修改，直接接纳这款新产品。

* MR-MUF：这是一项高效的封装工艺技术，通过在叠加的半导体芯片之间注入液态保护材料，以提高散热性能和电路保护效果。

* 向后兼容性：在与旧版产品兼容的IT/计算系统中，不需要额外调整，即可直接使用新产品。例如，对于CPU或GPU企业而言，如果新的半导体存储器产品具有向后兼容性，那么就无需对设计进行调整，仍然能够使用现有的CPU/GPU。

英伟达Hyperscale和HPC部门的副总裁伊恩·巴克（Ian Buck）兴奋地表示：“英伟达与SK海力士在HBM领域的长期合作，为先进的加速计算解决方案提供了强力支持。我们迫不及待地期待在HBM3E领域继续深化合作，展示全新一代人工智能计算技术。”

SK海力士DRAM商品企划负责人柳成洙满怀信心地表示：“通过推出HBM3E，我们不仅丰富了不断发展的人工智能技术领域的产品阵容，还巩固了我们在市场中的领导地位。随着高附加值产品HBM的供应占比不断上升，我们的业绩反弹将会更加迅猛。”