【深铭易购】资讯：近日，据媒体报道，三星电子的存储业务主管李政培宣布，三星已经成功生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的样品，计划在明年初开始大规模生产。为了实现半导体行业中最小的单元尺寸，三星采用增加层数和减小高度的方式。

目前，存储产业正经历缓慢的复苏，各大厂商纷纷竞相研发存储的先进技术。从目前的进展来看，NAND Flash的层数竞赛已经突破了200层的壁垒，SK海力士已经达到了321层，美光则达到了232层，而三星计划在2024年推出第九代3D NAND，预计将达到280层。

据悉，三星还计划在2025年至2026年期间推出第十代3D NAND，有望达到430层，而他们的远景目标是在2030年之前实现1000层NAND Flash。与此同时，DRAM的先进制程工艺已经发展到了10纳米级别的第五代，美光称之为1β DRAM，而三星则称之为1b DRAM。美光去年开始量产1β DRAM，计划在2025年开始量产1γ DRAM，而三星计划在2023年进入1bnm工艺阶段。

根据披露，三星正在积极研发业内领先的11纳米级DRAM芯片，同时也在为DRAM开发3D堆叠结构和新材料。李政培指出，在即将到来的10纳米以下DRAM和超过1000层的V-NAND芯片时代，新的结构和材料将变得至关重要。

此外，三星计划于10月20日在美国硅谷举办三星存储技术日2023的活动，届时将发布一些新的存储芯片和产品。