台积电2nm五厂齐发 加速扩产创纪录

发布者:深铭易购     发布时间:2026-04-29    浏览量:--

【深铭易购】资讯4月28日消息,据台媒报道,在近期举行的北美技术论坛上,台积电高层透露,受人工智能(AI)与高性能计算(HPC)需求爆发带动,公司正以前所未有的“2倍速”推进先进制程产能扩张。预计到2026年,将有五座2nm晶圆厂同时进入量产爬坡阶段,创下台积电历史上最激进的扩产节奏。

台积电表示,其2nm制程已于2025年第四季度正式量产,尽管采用更复杂的纳米片(Nanosheet)架构,但良率提升速度优于3nm世代,展现出成熟的技术实力。与此同时,下一代A16制程(结合背面供电技术)也在持续推进,以满足AI与车用电子对高性能与低功耗的双重需求。

在产能布局方面,台积电自去年起启动大规模扩产计划。今年更首次出现五座2nm晶圆厂同步导入新制程的情况。公司指出,这种多厂并行推进的模式在以往从未出现,反映出AI需求正推动半导体供应链进入“高速扩张期”。预计2nm制程首年产出将较3nm同期提升约45%,产能释放效率显著提升。

除了2nm外,台积电也同步扩大3nm产能。不同于以往在达到既定规模后不再追加投资的策略,公司此次决定持续加码资本支出,以确保为客户提供充足的先进制程产能。当前,台积电正推进全球范围的扩产计划,以支撑智能手机、AI、HPC、车用电子及物联网等多领域的需求增长。

供应链消息显示,台积电原规划到2026年底3nm月产能为15万片晶圆,如今已上调至18万片,年增幅超过40%。其中,中国台湾南科的新3nm晶圆厂有望提前至2027年上半年量产;美国亚利桑那州第二座晶圆厂预计于2027年下半年投产;日本熊本第二座晶圆厂也将导入3nm工艺,并计划于2028年量产。

整体来看,台积电正加快全球扩产步伐。2025至2026年期间,平均每年将推进约9个新建厂或产能升级项目,扩张速度较以往明显提升,形成“倍速扩厂”格局,涵盖美国、日本及欧洲等关键地区,进一步增强供应链韧性。

在先进制程产能快速扩张的带动下,AI芯片出货也呈现爆发式增长。数据显示,2022年至2026年间,AI加速器相关晶圆出货量增长达11倍,大尺寸芯片需求也提升6倍,凸显AI算力向高集成、高性能方向发展。

与此同时,先进封装技术也成为竞争焦点。台积电持续升级CoWoS与SoIC等3D封装技术,并显著缩短导入周期,其中SoIC量产导入时间缩短约75%。预计到2027年,整体先进封装产能将较2022年增长约80%,封装正从辅助工艺转变为AI芯片性能竞争的关键环节。

随着2nm制程量产推进、五厂同步扩产,以及先进封装能力持续提升,台积电在全球AI芯片供应链中的核心地位正进一步巩固。业界普遍认为,在先进制程与封装“双引擎”驱动下,台积电有望继续扩大领先优势,引领下一轮半导体产业增长周期。


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