【深铭易购】资讯：根据中国科学院上海微系统所官方消息，上海微系统所的魏星研究员团队最近在300mm SOI晶圆制造技术领域取得了具有重大意义的突破。他们成功制备了国内首张300mm射频（RF）SOI晶圆。

这一团队是基于集成电路材料全国重点实验室的300mm SOI研发平台，克服了多项核心技术挑战，包括低氧高阻晶体的制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜的沉积，以及非接触式平坦化技术。这一突破实现了国内300mm SOI制造技术的重大进展，将为国内RF-SOI芯片的设计、代工以及封装等全产业链的协同快速发展提供有力支持，同时为国内SOI晶圆的供应安全提供坚实保障。

射频（RF）SOI目前已成为射频应用的主要衬底材料，可应用范围广泛，包括通讯射频前端的RF-SOI应用、高功率Power-SOI元件以及光通讯Photonics-SOI技术等。随着5G网络的广泛部署，移动终端对射频模块的需求不断增加，射频前端芯片的制造工艺正由200mm过渡到300mm RF-SOI。在这一过渡期间，国内主要集成电路制造企业也积极扩展其300mm RF-SOI工艺代工能力。

绝缘体上硅片（silicon-on-insulator，SOI）技术是一项突破性技术，建立在硅材料与硅集成电路的巨大成功之上，具有独特的优势，能够克服硅材料与硅集成电路的限制。这一技术突破有望在射频应用领域产生重大影响。