三星电子将扩产尖端DRAM/NAND
发布者:深铭易购 发布时间:2023-11-01 浏览量:--
【深铭易购】资讯:三星电子于10月31日在第三季度财报电话会议上宣布,计划扩大高端存储器供应,包括10纳米的第四代(1a)和第五代(1b)DRAM内存,以及第七代和第八代V-NAND闪存等,而不会减少供应。这一决策的背后,是对高性能产品如生成式人工智能(AI)所需的尖端存储器的快速增长需求的驱动。然而,存储行业的资本投资削减导致了我们先进节点工艺扩展的受限,这也是我们决策的因素之一。
Kim Jae-jun,三星电子的副总裁,强调说:“为了确保长期竞争力,我们将继续投资以巩固在高端存储器市场的地位。” 三星电子的半导体业务,由DS部门负责,计划每年投资约47.5万亿韩元的资本支出。
然而,Kim Jae-jun解释道,对于一些传统产品,公司正在进行产量调整以实现库存正常化。他表示:“我们将进行有选择性的生产调整,以在短时间内平衡库存,其中NAND闪存的供应削减程度将超过DRAM。”
与此同时,三星电子还公布了第三季度的财务表现。合并销售额为67.4047万亿韩元,营业利润为2.4336万亿韩元。尽管较去年同期下降了12.21%,但与今年第二季度相比增长了12.3%。营业利润较去年同期下降了77.57%,但这一数字明显高于市场预测的1.8358万亿韩元。
特别值得注意的是,三星DS部门的经营业绩有所改善,实现了2万亿韩元以上的营业利润。公司公布的营业亏损为3.75万亿韩元,明显缩小,较第一季度的4.58万亿韩元和第二季度的4.36万亿韩元亏损。
三星电子的DX部门,涵盖家电和移动业务,实现了44.2万亿韩元的销售额,以及3.73万亿韩元的营业利润;以智能手机为主的移动体验和网络部门创造了3.3万亿韩元的营业利润;消费电子和视觉显示部门实现了3800亿韩元的营业利润;三星显示部门实现了1.94万亿韩元的营业利润;汽车电子子公司哈曼实现了4500亿韩元的营业利润。
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