【深铭易购】资讯：据BusinessKorea报道，SK海力士宣布其第五代高带宽存储（HBM）——HBM3E的良率已接近80%。SK海力士生产主管权在淳表示：“我们已经成功地将HBM3E芯片量产所需的时间缩短了一半，达到了大约80%的目标良率。”

这是SK海力士首次公开披露HBM3E的生产信息。此前，业界预计SK海力士的HBM3E良率在60%到70%之间。

权在淳强调：“我们今年的目标是专注于生产8层HBM3E。在人工智能（AI）时代，提高产量对于保持领先地位变得更加重要。”

制造HBM需要垂直堆叠多个DRAM，与标准DRAM相比，工艺复杂性更高。特别是HBM3E的关键部件——硅通孔（TSV）的良率一直较低，在40%到60%之间，使其改进成为重大挑战。

继向AI半导体领导者英伟达几乎独家供应HBM3之后，SK海力士于今年3月份开始供应8层HBM3E产品，并计划在今年第三季度供应12层HBM3E产品。第六代HBM——12层HBM4产品计划于2025年推出，16层版本预计将于2026年投入生产。

快速增长的人工智能市场推动SK海力士下一代DRAM的快速开发。到2023年，主要用于人工智能应用的HBM和大容量DRAM模块按价值计算将占整个存储市场的约5%。SK海力士预测，到2028年，这些AI存储产品将占据61%的市场份额。