【深铭易购】资讯：ASML再度宣布新光刻机计划。据报道，ASML预计在2030年推出的Hyper-NA极紫外光刻机（EUV），将进一步缩小最高电晶体密度芯片的设计限制。

ASML前总裁Martin van den Brink宣布，预计在2030年推出新的Hyper-NA EUV技术。目前，Hyper-NA仍处于开发初期阶段，将延续High-NA系统的发展路径。今年年初，ASML在英特尔奥勒冈工厂首次安装了High-NA系统。

报道指出，van den Brink上月在比利时举行的imec ITF World演讲中表示：“从长远来看，我们必须改进光源系统，并且必须采用Hyper-NA。同时，我们还需提升所有系统的生产率，使其达到每小时400至500片晶圆。”

高数值孔径（High-NA）技术将数值孔径（NA）从早期EUV工具的0.33 NA提高到0.55 NA。大约三年前，ASML曾表示，高数值孔径将帮助芯片制造商在未来至少十年内达到2纳米以下的制程节点。现在，ASML表示，计划在2030年提供Hyper-NA技术，达到0.75 NA。

不过，ASML也澄清，这只是van den Brink关于Hyper-NA的愿景，目前公司仍在进行可行性研究。根据imec高级图案化项目总监Kurt Ronse的说法，这是ASML首次将Hyper-NA纳入其路线图。他与ASML合作开发光刻机已有30多年。

Kurt Ronse表示，“目前有许多研究需要进行，能否将数值孔径提高到0.75甚至0.85？Hyper-NA肯定会带来一些新的挑战。”