美光量产G9 NAND技术SSD已出货
发布者:深铭易购 发布时间:2024-07-31 浏览量:--
【深铭易购】资讯:存储巨头美光科技今日宣布,其采用第九代(G9)TLC NAND技术的SSD已经开始出货,成为首家实现这一里程碑的企业。美光G9 NAND具备3.6 GB/s的传输速率,为业界最高,为数据读取和写入提供无与伦比的宽带。不论是在个人设备、边缘服务器,还是企业及云端数据中心,新款NAND均展现出同级最佳性能,满足人工智能及其他大量数据应用的需求。
美光技术和产品执行副总裁Scott DeBoer表示,美光G9 NAND正式出货,证明了美光在制程技术与设计创新上的强大实力。与目前市面上的竞品相比,美光G9 NAND的密度提高了73%,可构建体积更小、性能更高的存储解决方案,对消费者和企业均有益。
美光指出,G9 NAND充分利用了业界最高的NAND I/O速率,满足处理大量数据工作负载的高吞吐量需求。与市面上其他已出货的NAND SSD产品相比,数据传输速率提高了50%;与现有NAND竞品方案相比,美光G9 NAND的每晶粒写入带宽提升了99%,读取带宽提升了88%,从每颗晶粒就占据了优势,自然有助于SSD和嵌入式NAND解决方案的性能及功耗表现。
美光G9 NAND延续了前代产品的特色,采用11.5mm x 13.5mm封装,体积较竞品缩小了28%,成为市售体积最小的高密度NAND。由于密度提高、体积缩小,设计自由度更大,适用于各种使用场景。
美光执行副总裁暨事业长Sumit Sadana强调,美光在连续三代产品中均引领业界推出创新和顶尖的NAND技术。美光G9 NAND可为其整合产品提供显著优于竞品的性能表现,并作为存储创新的基础,为各终端市场客户创造价值。
美光副总裁暨用户端存储事业部总经理Prasad Alluri指出,即使PCIe Gen4市场理论上接近饱和,美光2650 SSD采用最新的G9 NAND技术,推进TLC用户端SSD的极限。这款硬盘在PCMark 10测试标准中,比竞品表现高出38%,将重新定义同级别SSD的用户体验。
美光2650 NVMe SSD提供同级领先的稳定性,主打有助于性能的加速缓存,通过动态SLC缓存进一步提高写入表现。美光2650 NVMe SSD为PCIe Gen4提供实际的饱和性能,连续读取速率高达7,000 MB/s,相较于竞品,连续读取速率提升最高达70%,连续写入速率提升最高达103%,随机读取速率提升最高达156%,随机写入速率提升最高达85%。
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