【深铭易购】资讯：2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出基于第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（千兆比特）DDR5 DRAM，展示了领先的超微细化存储工艺技术。

SK海力士指出：“随着10纳米级DRAM技术的发展，微细工艺的挑战也逐步增加，但公司通过以业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术为基础，提高了设计的精确度，成功突破了技术的极限。公司计划在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，并从明年起供应产品，推动半导体存储市场的发展。”

公司基于1b DRAM平台扩展开发了1c工艺。SK海力士的技术团队认为，这不仅减少了工艺高度化过程中可能出现的试错问题，还能有效地将1b工艺的优势转移到1c工艺上，使其性能更加卓越。

此外，SK海力士在部分EUV工艺中开发并应用了新材料，同时优化了整个工艺流程，确保了成本竞争力。在1c工艺上，公司也进行了设计技术的革新，相比上一代1b工艺，生产效率提升了30%以上。

这款1c DDR5 DRAM主要用于高性能数据中心，其运行速度达到8Gbps（每秒8千兆比特），比前一代产品速度提升了11%。能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来，数据中心的耗电量不断增加。如果全球的云服务客户采用SK海力士的1c DRAM，公司预测其电费最高可以减少30%。

SK海力士DRAM开发部门副社长金锺焕表示：“1c工艺技术兼具最高性能和成本竞争力，我们将其应用于新一代HBM*、LPDDR6*、GDDR7*等先进DRAM产品，为客户提供差异化的价值。未来，我们将继续保持在DRAM市场的领先地位，巩固作为AI存储解决方案首选企业的地位。”

*HBM（High Bandwidth Memory）：高带宽内存，垂直堆叠多个DRAM单元，与传统DRAM相比显著提升数据处理速度，是一种高附加值、高性能产品。HBM系列产品依次开发了HBM（第一代）-HBM2（第二代）-HBM2E（第三代）-HBM3（第四代）-HBM3E（第五代）-HBM4（第六代）-HBM4E（第七代）。

*LPDDR（Low Power Double Data Rate，低功耗双倍数据速率）：用于智能手机和平板电脑等移动设备的DRAM规格，旨在最大限度地降低能耗，具有低电压运行特性。LPDDR系列最新规格为LPDDR7，按1-2-3-4-4X-5X-6的顺序开发。

*GDDR（Graphics DDR，图形用双倍数据速率存储器）：由国际半导体器件标准组织（JEDEC）规定的图形用DRAM标准规格，专为图形处理设计。该系列产品按3、5、5X、6、7的顺序开发，版本越新，运行速度越快，能效也越高。作为图形和人工智能领域的高性能存储器，该产品备受关注。