【深铭易购】资讯：近日有消息称，三星代工厂预计将于明年开始使用其首代2nm工艺节点生产芯片，这一节点将使EUV层的数量增加30%至26层。

ASML是全球唯一能够生产极紫外（EUV）光刻机的荷兰企业。EUV技术通过极细的光束将电路图案刻蚀到硅片上，从而帮助在芯片内布置元件。智能手机中的处理器通常需要多层EUV图案。

目前，三星代工厂在3nm工艺中使用了20层EUV光刻层，而在2nm工艺中，EUV层数将增加至26层。这些额外的EUV层将使芯片能够容纳更多的晶体管，从而提高SoC的处理能力，同时降低能耗。预计三星的2nm芯片将比当前一代芯片尺寸缩小17%，功能提升18%，效率提高15%。

除了增加EUV层数，三星代工厂还将在2nm工艺中采用背面供电技术（BSPDN）。该技术通过将电源线移至芯片背面，进一步缩小芯片尺寸17%。这样做不仅减少了电压降，还能扩大线路的空间。类似技术也被英特尔用于其PowerVia功能，以提升芯片的性能和效率。

展望2027年，三星代工厂计划开始使用1.4nm节点进行生产，届时EUV层的数量预计将增至30层以上，晶体管数量也将显著增加，使应用处理器更强大、更节能。目前，三星代工厂的主要竞争对手台积电在其3nm（N3x）工艺中使用了多达25层EUV。

三星代工厂自2018年开始采用EUV光刻技术，从10nm工艺转向7nm。在EUV光刻技术出现之前，行业主要使用深紫外（DUV）光刻技术。此外，三星还在DRAM生产中使用EUV，其第六代10nm DRAM芯片采用了7层EUV。另一家DRAM制造商SK海力士则使用了5层EUV。

与三星代工厂一样，台积电预计将在明年开始生产2nm芯片，其1.4nm节点也有望在2027至2028年投入生产。