传台积电首台High NA EUV设备本月进厂
发布者:深铭易购 发布时间:2024-09-10 浏览量:--
【深铭易购】资讯:台积电首台ASML High NA EUV光刻系统设备预计本月进厂,引发业界广泛关注。据传,由于该设备造价超过4亿欧元,且其光镜头无法拆卸,设备高度超过一般会议室,长度也远超前一代产品,因此其运输过程需特别安排,可能通过机场或港口的高速公路进行联动,或在深夜运输以避免对交通的干扰。
对于这一传闻,ASML表示不对单一客户的消息发表评论。台积电在9日晚间回应称,不回应市场传言。
尽管如此,业内普遍认为,台积电首台ASML High NA EUV系统将于本月进入台积电全球研发中心,用于支持先进制程的研发需求。
ASML已获得所有EUV客户的订单,订购其下一代High NA EUV设备。ASML High NA EUV产品管理副总裁Greet Storms上周五在采访中提到:“我们持续推进新技术,并在研发阶段赢得了每位EUV客户的青睐,这些客户都是我们的High NA客户,已经向我们下单。我们希望到2026年能够实现量产。”不过,他也指出,仍需考虑客户的制程成本等综合因素。
ASML此前曾确认,将于今年底前向台积电交付最新的High NA EUV光刻系统。该系统已于去年底开始陆续出货,预计每小时可曝光超过185片晶圆,支持2nm及以下逻辑芯片及类似电晶体密度的存储芯片的量产。
ASML强调,导入EUV技术可简化芯片制造流程,减少光罩数量,提升产能和良率,从而降低每片晶圆的电力消耗。预计到2029年,若在先进制程中引入EUV和High NA EUV系统,每片晶圆的生产将节省200度电。
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