【深铭易购】资讯：据《韩国经济新闻》报道，韩国存储芯片巨头SK海力士（SK Hynix）计划应重要客户需求，预计将于2025年下半年通过台积电的3nm制程，推出定制化的第六代高频宽内存（HBM4）。消息人士透露，SK海力士已决定与台积电展开合作，最快将在2025年3月发布一款采用台积电3nm制程生产的基础裸片（Base Die）垂直堆叠HBM4原型，主要面向英伟达（NVIDIA）等重要客户。

与此前的HBM3E及早期的HBM采用传统的DRAM制程基础裸片不同，HBM4将采用全新的Logic Base Die。这个新型Logic Base Die将替代原有的DRAM基础裸片，进一步提升性能和能效。具体来说，Logic Base Die位于DRAM的底部，作为连接AI加速器中的图形处理单元（GPU）和DRAM之间的关键组件，主要起到控制器的作用。与传统Base Die不同，Logic Base Die允许客户进行自主设计，可以集成客户专有的IP，支持HBM的定制化，进一步提升数据处理效率，并预计能将功耗大幅降低至传统技术的30%。

从目前的消息来看，SK海力士计划将HBM4的基础裸片交由台积电使用3nm制程制造，相比此前传闻中的5nm制程，预计性能将提升20-30%。与此同时，三星也在考虑采用台积电3nm制程生产其HBM4的基础裸片，尽管早前有传言称三星将使用4nm制程。此举意味着，SK海力士的HBM4有望在技术上超越三星，具备更强的市场竞争力。

据了解，SK海力士决定选择台积电3nm制程制造HBM4的基础裸片，主要是为了应对三星在使用4nm制程生产HBM4的战略声明。如今，三星似乎也在重新评估其生产路线，甚至有可能选择与台积电合作，采用3nm制程生产HBM4基础裸片。