场效应晶体管（FET）是电子产品中防止电路静电放电的重要器件。自其诞生以来，它们迅速席卷了电子元件市场。他们到处受到人们的喜爱和追捧，比如我们的普通手机、平板电脑等等。

       使用范围非常广泛，但有一个问题一直困扰着许多新的采购和电子工程师。这是如何准确地确定场效应晶体管的方向。只有解决了这个问题，我们才能更容易地使用场效应晶体管。你想知道的是用李电子探索晶体管的方向。

       任何研究过模拟电路的人都知道晶体管是电流控制装置，也就是说，基极电流控制集电极和发射极之间的电流。场效应管是一种电压电流控制装置，即施加到栅极上的电压控制漏极和源极之间的电流。场效应管是一种保护电压，可分为四种类型：增强或耗尽型、P沟道或N沟道。然而，在实际应用中只使用了增强型N沟道场效应晶体管和增强型P沟道场效应晶体管。在实践中，大部分的N场效应晶体管被使用。

       N沟道场效应晶体管的方向和右边的P沟道场效应晶体管的方向是什么？ **它的经验法则是关于N通道，它从S极指向D极;相对于P沟道，D极指向S极。如何区分三极？ D极位于一侧，G极位于第4个PIN位置。剩下的3英尺是S极。他们的立场相对固定，记住这一点很有用。请注意，无论N场效应晶体管或P场效应晶体管如何，上述PIN引脚都以相同的方式确定。

        场效应晶体管（FET）的开关特性意味着它们充当开关，相当于开关的闭合。n-fet特性：当vgs大于某个值时，管会导通，适用于电源接地的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V。0 fet特性：小于某个值的6gs管会导通，适用于电源vcc的情况（高端驱动）。

       场效应晶体管实现的电压势垒效应是另一个非常重要和常见的功能。阻塞的重要性是担心电流从前极到后电路的泄漏以及电路系统通电的时间。处理器或逻辑器件的工作导致误判，最终导致系统无法正常工作。因此，在实际电路系统中，势垒的作用是非常重要的。

       通过控制场效应晶体管的高电平和低电平来实现信号电平势垒。由于场效应晶体管具有体二极管，并且是反向的，因此不会有信号通过场效应晶体管。这是一个非常经典的电路，可以用来推导出很多有用的电路。