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    中科院院士郑有炓:新型半导体材料将助力信息技术发展 - 深铭易购

    发布者:深铭易购     发布时间:2020-09-14

    【深铭易购】9月14日资讯,在重庆举行的2020中国国际智能产业博览会新型半导体技术及智能化应用高峰论坛上,中国科学院院士、南京大学教授郑有炓在《5G信息技术时代化合物半导体技术发展趋势》主题报告中指出,高能效、低能耗新型半导体材料将助力信息技术发展。


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    “5G网络的开通,引发了新一代信息技术。”郑有炓介绍,半导体材料是信息技术的核心基础材料。5G信息技术不仅进一步深化人与人的通信,更重要的是拓展到人与物、物与物的在线互联互通,开创多场景的万物互联,带动信息化与工业化的融合,推动超密集连接的物联网、车联网、工业互联网、智能制造的发挥发展。


    半导体材料在5G信息技术发展中起到重要作用。比如,数据中心建设上,数据中心含有数千万个处理器,每个处理器有数十亿个晶体管,因此,数据中心同一时间有数万亿个晶体管运转,能耗巨大。另外,5G基站耗电量是4G基站的3-4倍,5G基站网络整体能耗是4G的9倍以上。由此,从硬件技术角度,采用高能效、低功耗的SiC、GaN的功率电子技术是必然的选择。


    那么,第三代半导体如何助力产业数字化转型、智能化发展?郑有炓表示,以GaN、SiC为代表的第三代半导体具有高能效、低能耗,高极端性能和耐恶劣环境优质性能,支撑传统产业的数字化转型和智能化发展。

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