【电子元器件采购网】9月14日资讯，在重庆举行的2020中国国际智能产业博览会新型半导体技术及智能化应用高峰论坛上，中国科学院院士、南京大学教授郑有炓在《5G信息技术时代化合物半导体技术发展趋势》主题报告中指出，高能效、低能耗新型半导体材料将助力信息技术发展。

“5G网络的开通，引发了新一代信息技术。”郑有炓介绍，半导体材料是信息技术的核心基础材料。5G信息技术不仅进一步深化人与人的通信，更重要的是拓展到人与物、物与物的在线互联互通，开创多场景的万物互联，带动信息化与工业化的融合，推动超密集连接的物联网、车联网、工业互联网、智能制造的发挥发展。

半导体材料在5G信息技术发展中起到重要作用。比如，数据中心建设上，数据中心含有数千万个处理器，每个处理器有数十亿个晶体管，因此，数据中心同一时间有数万亿个晶体管运转，能耗巨大。另外，5G基站耗电量是4G基站的3-4倍，5G基站网络整体能耗是4G的9倍以上。由此，从硬件技术角度，采用高能效、低功耗的SiC、GaN的功率电子技术是必然的选择。

那么，第三代半导体如何助力产业数字化转型、智能化发展？郑有炓表示，以GaN、SiC为代表的第三代半导体具有高能效、低能耗，高极端性能和耐恶劣环境优质性能，支撑传统产业的数字化转型和智能化发展。