【深铭易购】资讯：据报道，台积电宣布，公司预计将在今年下半年开始大规模生产N2（2nm级）芯片，这将是首个采用环栅（GAA）纳米片晶体管的制程技术。

这一新工艺节点将推动明年众多新产品的发布，包括AMD面向数据中心的下一代EPYC“Venice”处理器，以及苹果为2025年智能手机、平板电脑和个人电脑推出的各类处理器。凭借GAAFET（环绕栅极晶体管）和增强的功率输出，新的2nm工艺不仅将提高性能和晶体管密度，还能显著降低功耗。此外，后续的A16和N2P工艺预计将在明年投入生产。

N2是台积电最新的制程技术，将实现“全节点改进”。与N3E工艺相比，N2的性能提高了10%至15%，功耗降低了25%至30%，晶体管密度提升了15%。台积电表示，N2的晶体管性能已经接近预期目标，256Mb SRAM模块的良率超过90%，这表明N2制程已经达到成熟水平，准备进入量产阶段。

作为台积电首个采用GAA纳米片晶体管的制程节点，N2工艺的特点是栅极360度环绕沟道（沟道由多个水平纳米片构成），这种设计将有效提升性能并减少漏电。通过增强对沟道的静电控制，该技术能够在不牺牲性能或功耗的前提下，最大化晶体管密度。

台积电N2工艺有望在今年下半年开始量产，并将支持明年发布的多个重要产品，包括AMD用于数据中心的EPYC“Venice”处理器，以及苹果为2025年智能手机、平板电脑和个人电脑推出的SoC产品。