【深铭易购】资讯：据多家媒体报道，三星电子位于韩国平泽的第四半导体园区（P4）正在加快推进其第二期（PH2）和第四期（PH4）的建设步伐。消息指出，预计总投资规模高达约7万亿韩元的外部建设工程将于2025年下半年正式启动。

业内人士透露，目前P4园区的PH2和PH4项目已收到施工指令，意味着主体工程将在2至3个月后全面展开。预计正式施工时间为今年11月，但部分区域有望提前于9月启动前期施工工作。

据了解，三星原计划将PH2和PH4建设为专注于晶圆代工的生产线，但受到近期晶圆代工市场需求疲软的影响，项目开工时间有所推迟。其间，PH2一度被提议转型为集DRAM、NAND、晶圆代工及封装于一体的“混合晶圆厂”。目前，三星内部仍在评估PH2是否作为DRAM产线，或按“混合模式”进行建设。至于PH4，目前暂无明显进展，仅剩基础建设收尾工作。

与之相比，P4园区的第一期（PH1）和第三期（PH3）项目建设进展显著。PH1原为NAND闪存生产线，现已调整为同时生产NAND与第四代10纳米级（1a）DRAM的混合工厂，目前设备安装已进入最后阶段。PH3则定位为DRAM专用生产线，自2024年6月起陆续引入生产设备，正按计划稳步推进。

据早前报道，三星平泽P4园区原规划为四阶段建设，覆盖晶圆代工与存储芯片的双重产线布局。依照最初设想，项目将依序推进PH1（存储）、PH2（代工）、PH3（存储）与PH4（代工）的开发，以打造全球领先的半导体制造基地。