【深铭易购】资讯：三星电子近日正式宣布，其第六代（1c）10纳米级DRAM制程实现了重大技术突破，良率已成功突破50%门槛，并计划于今年下半年导入第六代高带宽存储（HBM4）投入量产，标志着三星在高端存储领域的竞争力进一步提升。

据悉，1c DRAM制程节点约11至12纳米，相较当前主流的第4代（1a，约14纳米）与第5代（1b，约12-13纳米）DRAM，1c具备更高密度、更低功耗以及更薄的晶粒厚度，能够在HBM4中堆叠更多记忆体层数，显著提升容量与频宽密度。

当前HBM市场由SK海力士和美光占据主导地位。SK海力士率先出货基于1b DRAM的HBM4样品，并掌握HBM3E（第五代HBM）8层与12层市场，美光紧随其后。三星虽曾向AMD供应HBM3E，但未能通过NVIDIA测试，影响其在AI记忆体市场的占有率。

为重夺市场主动权，三星自去年起由DRAM开发室长黄相准领导，全面加速1c DRAM研发，并针对初期设计缺陷展开重设计。黄相准指出，1c DRAM早期性能与良率不达标，根本原因在于设计架构不足，若不从源头优化，将难以取得实质突破。据了解，过去设计与制造团队协作不足，导致项目进度受阻，三星高层此次直接介入，优化设计流程，体现了三星重返技术巅峰的坚定决心。

三星同时布局市场反攻，拟在下半年提供HBM4样品，并将「客制化HBM」定为新战略核心。HBM4支持将逻辑晶片与DRAM堆叠集成，通过晶圆代工优化整体架构，灵活满足AI与高性能运算等多元应用。三星还自研4纳米制程，导入HBM4堆叠底部的逻辑晶片，进一步提升效能与整合优势。

值得注意的是，SK海力士在1c DRAM的投资较为保守，聚焦1b DRAM支援HBM3E与HBM4，预计第七代HBM（HBM4E）才会转向1c制程。相较之下，三星借助率先量产1c DRAM，有望在先进制程与AI存储需求上取得技术领先。

三星此次1c DRAM制程突破，不仅验证了自身技术实力，也为未来高端存储市场的格局带来变数。随着HBM4即将量产，三星有望在AI与高性能计算领域重塑市场地位，强化全球半导体竞争力。