存储芯片涨价,三星SK海力士毛利率超台积电
发布者:深铭易购 发布时间:2025-12-24 浏览量:--
【深铭易购】资讯:据报道,预计三星电子与SK 海力士的存储业务在2025年第四季度的毛利率将超过台积电,这将是自2018年第四季度以来,存储产业利润首次超越晶圆代工产业。
报道称,三星电子与SK 海力士的毛利率预计将在63%至67%之间,高于台积电预期的60%。此外,全球第三大存储芯片厂商美光在2026财年第一季度(2025年9月至11月)的毛利率已达56%,并预计在第二季度(2025年12月至2026年2月)进一步提升至67%,显示美光在2026年第一季度也有望实现超越台积电的盈利表现。
推动存储产业毛利率上升的主要因素,是存储芯片价格的快速上涨。目前,三大存储芯片厂商已将约18%至28%的DRAM产能投入高带宽内存(HBM)生产。HBM通过堆叠8至16颗DRAM芯片制造,这大幅压缩了通用DRAM供应量,使通用DRAM单季价格上涨超过30%。
报道称,随着人工智能行业逐步从“训练”阶段转向“推理”阶段,快速数据存储与检索的重要性显著提升。推理阶段将训练过程中获得的知识应用于实际问题求解,这需要HBM等高速内存持续为GPU提供数据支持,从而带动存储芯片需求和毛利率的增长,超越晶圆代工厂水平。
尽管通用DRAM的性能低于HBM,但在人工智能推理的早期阶段,工作负载通常由通用DRAM(如GDDR7和LPDDR5X)处理,而HBM则用于更高密度的推理任务。例如,英伟达在专注推理的AI加速器中采用GDDR7,就是通用DRAM应用的典型案例。
此外,存储芯片厂商正通过开发面向人工智能的高性能产品,维持以内存为核心的产业优势。其中,内存处理(PIM)技术能够让内存执行部分传统由GPU承担的计算任务。同时,垂直通道晶体管(VCT)DRAM与3D DRAM等新技术也有望进入市场,通过在更小面积内存储更多信息,提高数据密度与处理效率。
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