【深铭易购】资讯：据多方消息披露，随着美国特朗普政府批准英伟达（NVIDIA）H200人工智能芯片对中国出口，全球高带宽存储器（HBM）市场出现新的价格波动。消息人士称，三星电子与SK海力士已将2026年HBM3E的供应价格上调接近20%，这一涨幅在业内被视为较为罕见。

报道称，尽管HBM3E仍是2025年HBM市场的主流产品，且随着新一代HBM4预计于明年正式量产上市，HBM3E的价格理论上应趋于稳定甚至回落，但市场需求并未如预期放缓。包括英伟达、AMD在内的主要AI芯片厂商，仍在持续出货基于HBM3E的AI加速器，使整体需求保持稳步增长态势。

其中，英伟达需求超出预期被认为是推动价格上涨的关键因素。随着H200芯片获准出口中国，英伟达对HBM3E的采购量显著增加。据悉，每颗H200 AI加速器需搭载6个HBM3E堆栈，进一步放大了对高端存储的需求。

《路透社》援引知情人士消息称，英伟达计划优先动用现有库存完成首批H200订单，初期出货规模预计为5,000至10,000台8卡服务器，折合约40,000至80,000颗H200芯片。同时，英伟达正着手扩大产能，新增HBM3E相关订单预计将在2026年第二季度正式释放。

除英伟达外，大型云计算与科技公司对HBM3E的需求同样快速上升。谷歌与亚马逊的新一代AI芯片均采用HBM3E存储方案。谷歌的张量处理单元（TPU）以及亚马逊的Trainium系列加速器，均计划于2026年开始大规模出货。

从产品配置来看，新一代AI加速器的HBM容量较早期产品普遍提升约20%至30%。其中，谷歌第七代TPU单颗芯片将集成8个HBM3E堆栈；而亚马逊的Trainium3则据称采用4个HBM3E堆栈，以满足更高算力与带宽需求。

另一方面，随着三星电子和SK海力士将资源优先投向下一代HBM4的量产准备，HBM3E的供应紧张状况短期内难以缓解，整体供给持续落后于市场需求。分析师预计，明年HBM整体收入结构中，HBM3E约占45%，HBM4占比将提升至约55%，显示市场正加速向新一代高带宽存储过渡。