【深铭易购】资讯：最新报道称，Samsung Electronics 正在加快下一代高带宽存储技术的推进。在 HBM4 即将于今年进入规模量产阶段之际，三星已经提前布局更远一代产品，计划将 HBM5 的基片制造工艺由4nm升级至2nm，并在下一代 HBM5E 中引入1d DRAM作为核心堆叠存储结构。这一战略显示出三星在AI存储市场进一步扩张的决心，预计将对高端DRAM供应格局以及下游AI加速器产业链产生深远影响。

多家韩媒报道，三星存储开发负责人、副总裁 Hwang Sang-jun 在 NVIDIA GTC 大会上披露了公司在HBM技术路线上的最新规划。他表示，HBM5基片将采用三星晶圆代工的2nm制程，相比HBM4和HBM4E所使用的4nm制程实现跨代升级，以满足下一代AI工作负载对存储带宽、功耗及性能提出的更高要求。虽然先进制程将带来更高成本，但为了实现HBM的目标性能，引入更先进的工艺节点已成为不可避免的技术选择。

在产能规划方面，Hwang Sang-jun透露，三星计划在今年使HBM4在全部HBM出货量中的占比超过50%，同时整体HBM产量较去年提升三倍以上。考虑到HBM4今年才刚进入量产阶段，这一激进目标表明三星正在大幅扩充产能，以满足AI芯片市场对高带宽存储不断攀升的需求。如果该计划顺利实施，全球高端DRAM市场的供应结构可能因此发生明显变化。

在下一阶段产品HBM5E方面，三星公布的技术蓝图更加前瞻。据披露，HBM5E将以1d DRAM作为核心堆叠存储，相较于HBM4及HBM4E所采用的1c DRAM技术进一步升级。目前1d DRAM仍处于三星内部研发阶段，但业内人士透露，该技术已在性能表现与测试良率方面取得积极进展，显示出向量产推进的良好信号。

除了存储业务，三星也在通过代工AI推理芯片进一步强化其在AI加速器产业链中的地位。目前，Groq 的 Groq 3 推理芯片正在三星平泽园区生产，量产时间预计在今年第三季度末至第四季度初，当前订单规模已超过最初预期。

据了解，Groq3裸片面积超过700平方毫米，一片晶圆仅能切割约64颗芯片，远低于通常400至600颗的水平。该芯片约70%至80%的面积由SRAM构成，使其能够在芯片内部完成高速推理计算，从而减少对外部HBM的依赖。

市场分析认为，三星代工Groq3 LPU芯片被视为其迈向下一代AI加速器平台核心合作伙伴的重要一步。在晶圆代工业务逐步进入 NVIDIA 供应链之后，三星在产业中的角色正从单纯的存储供应商扩展至AI芯片制造领域，与NVIDIA生态体系的合作深度持续提升。这意味着三星正由传统零部件供应商向“存储+计算”的全栈式AI解决方案提供商转型。

这一战略转型恰逢AI计算需求快速爆发的关键时期。随着大模型与生成式AI应用持续普及，市场对HBM以及专用推理芯片的需求呈现指数级增长。通过持续推进存储技术迭代，并同步扩大晶圆代工业务，三星正在构建从先进存储到AI计算芯片的完整硬件生态体系。

业内观察人士指出，三星的布局反映出半导体产业加速垂直整合的发展趋势。通过将先进存储技术与领先晶圆代工能力相结合，三星有望在未来AI芯片市场中获得更强的话语权，并在全球高端半导体竞争格局中占据更加关键的位置。