【深铭易购】资讯：受人工智能（AI）带动的存储需求激增影响，美国存储芯片制造商 Micron Technology 近期交出亮眼财报成绩。公司最新公布的季度业绩与本季展望均显著超出市场预期，并预计本季度毛利率有望突破80%，创下半导体制造业罕见水平，甚至可能超过 NVIDIA 与 TSMC 等行业龙头。

在3月18日举行的财报会议上，Sanjay Mehrotra（梅罗塔）表示，受AI应用快速扩张影响，当前DRAM与NAND存储芯片市场仍处于供不应求状态。为应对持续增长的需求，公司计划大幅提升产能，并扩大资本支出规模。

美光透露，截至今年8月底的本财年资本支出将超过250亿美元，而下一财年的资本支出预计将“显著提升”。其中，用于先进制造设备采购与新厂建设的投入预计将增加逾100亿美元。

从业绩表现来看，美光上一季度实现营收239亿美元，环比增长75%，同比增长196%。其中，占公司总收入近八成的DRAM业务同比增长达2.07倍；NAND Flash业务收入同比增长1.69倍，整体表现强劲。

盈利能力方面，公司Non-GAAP毛利率达到74.9%，创历史高位；净利润达140.2亿美元，环比增长1.55倍，同比大增6.86倍；净利率达到59%，稀释后每股收益为12.2美元。美光表示，上季度DRAM平均销售价格环比上涨约65%，NAND芯片平均销售价格环比上涨约78%，成为利润大幅提升的重要因素。

梅罗塔在会上指出，公司上季度在营收、毛利率、每股收益以及自由现金流等关键指标上均创下历史新高。更令市场关注的是，公司预计本季度营收将达到335亿美元，单季度收入规模甚至超过其2024财年之前的全年营收水平。

与此同时，美光预计本季度毛利率将达到约81%，若实现该目标，将成为半导体制造行业极具突破性的盈利水平。梅罗塔强调，当前AI服务器与传统数据中心对DRAM和NAND的需求持续攀升，但行业整体供应仍然紧张。

公司还透露，已签署首份为期五年的长期供货协议，以确保关键客户的稳定供应。

在高带宽存储（HBM）领域，美光表示，新一代HBM4产品的产能爬坡与量产出货正在推进，预计其成熟良率提升速度将快于HBM3E。面向 NVIDIA Vera Rubin platform 平台的HBM4预计将在今年6月至8月间进入量产阶段。同时，下一代HBM4E研发进展顺利，预计将在明年启动量产。

业内分析认为，在AI算力需求持续爆发的背景下，DRAM、NAND以及HBM等高端存储产品需求仍将保持强劲增长。不过，随着主要厂商持续扩大资本投入、推进新产能建设，未来存储行业“超级周期”的持续时间仍有待市场进一步观察。