【深铭易购】资讯：随着全球存储产业持续升级，3D NAND 正加速迈向 300 层以上乃至千层时代。近日，铠侠与闪迪在超高层堆叠技术领域取得重要突破，双方基于晶圆间铜直接键合技术，并结合 MSA-CBA 多层堆叠单元阵列架构，首次完成 QLC（四级单元）技术验证，为未来千层级 3D NAND 发展打开新路径。

据了解，这项技术成果将在 2026 年夏威夷 VLSI 超大规模集成电路研讨会上正式公布。两家公司表示，新型架构有效解决了高层数 3D NAND 扩展过程中长期存在的关键难题，包括存储单元电流衰减、晶圆翘曲以及区块尺寸受限等问题，为后续更高层数产品开发提供了可行方案。

在技术实现方面，铠侠与闪迪已公开相关堆叠结构设计，并展示了双片 218 字线阵列晶圆堆叠后的显微测试图像，显示该方案已具备较强的工程落地能力。

按照铠侠此前规划，公司目标是在 2027 年前后推动千层级 3D NAND 量产，届时裸片存储密度预计可达到 100Gbit/mm²。行业数据显示，3D NAND 层数已从 2014 年的 24 层快速提升至 2022 年的 238 层，技术演进速度持续加快，千层 NAND 被认为已具备现实可行性。

另一方面，三星电子也在积极推进千层 NAND 技术布局。其提出的多 BV NAND 架构，通过多晶圆堆叠方式提升存储密度，与铠侠路线存在较高相似性。业内普遍认为，单片晶圆堆叠层数接近 500 层后将面临物理极限，因此多晶圆异构堆叠将成为实现千层 NAND 的关键方向。三星计划于 2030 年前后推动千层 NAND 商用化。

除传统堆叠技术外，三星还同步研发下一代铁电 NAND，并联合英伟达及高校团队开发 AI 仿真模型，以提升存储器设计效率。相比传统 NAND，铁电 NAND 在支持超高层堆叠的同时，还可显著降低功耗，被视为未来高性能、低能耗存储的重要发展方向。