【深铭易购】资讯：5月14日，晶圆代工厂联华电子（UMC）正式发布全新14纳米嵌入式高压（eHV）FinFET制程平台，面向显示驱动IC应用，并已向客户开放PDK（制程设计套件），协助客户展开产品设计与导入。该技术已在联电12A厂完成验证，进一步强化其在OLED显示驱动芯片领域的技术布局。

联电表示，相较于目前已量产的22纳米eHV平台，新推出的14纳米eHV FinFET技术可实现约40%的功耗降低，同时将芯片面积缩小35%，有助于提升移动设备续航能力，并支持更轻薄、小型化的显示驱动模块设计，特别适用于高端OLED与折叠屏智能手机等新一代显示产品。

在技术架构方面，该平台首次将FinFET晶体管导入显示驱动IC领域，以取代传统平面晶体管设计。借助更先进的FinFET结构，14纳米平台不仅提升驱动速度与电源效率，也进一步增强信号完整性，可满足高分辨率、高刷新率显示面板的需求。

此外，联电还针对I/O元件与中压元件进行了优化设计，通过更小的线宽间距与更宽的电压操作范围，提高显示驱动电路设计灵活性，为未来高性能显示应用提供更完整支持。

联电技术研发副总经理徐世杰指出，随着显示技术不断朝向高画质、高刷新率及低功耗发展，市场对于先进显示驱动芯片的需求持续增加。此次14纳米eHV平台的推出，不仅是联电在显示驱动IC领域的重要突破，也标志着FinFET技术首次正式应用于显示驱动芯片制造，具有里程碑意义。

他进一步表示，未来联电将持续通过先进制程技术与完整设计支持资源，协助客户加速创新产品量产，满足新世代显示市场需求。

目前，联电在OLED显示驱动IC代工市场长期保持领先地位，也是业内唯一提供22纳米显示驱动IC量产解决方案的晶圆代工厂。随着14纳米eHV FinFET平台推出，联电已建立从0.6微米至14纳米的完整高压制程布局，进一步强化其在显示驱动芯片市场的竞争力。