【深铭易购】资讯：随着人工智能（AI）市场持续升温，全球存储芯片产业正加速将资源转向高带宽存储（HBM）及先进3D NAND产品，传统2D NAND与MLC NAND等旧世代存储芯片则逐渐被边缘化。业内人士指出，包括三星电子、铠侠以及美光等主要厂商，近期纷纷缩减甚至退出旧制程存储芯片业务，导致车用电子、工业控制及医疗设备等依赖长期稳定供货的市场，正面临供应紧张与价格飙升的压力。

据韩国媒体报道，三星电子已计划从2026年3月起，逐步停止华城12线的2D NAND生产，并将产线转用于更先进的1c DRAM制造。该厂区原本是三星最后一座2D NAND生产基地，月产能约8万至10万片晶圆。随着该产线关闭，也意味着三星自2002年推出全球首款1Gb 2D NAND以来，长达24年的2D NAND时代正式进入尾声。

与此同时，三星也已向客户发出MLC NAND停产通知，预计在2026年6月完成最后一批产品出货后全面停止供应。虽然MLC NAND在容量上已不及TLC与QLC等新技术，但由于其具备更高的数据可靠性与耐久性，长期以来广泛应用于工业机器人、医疗设备及车载系统等高稳定性场景。如今随着厂商逐渐退出，相关市场恐将出现长期缺货风险。

除了三星之外，铠侠也开始加速撤离旧型NAND市场。消息称，铠侠已通知客户，将逐步停止2D NAND及第三代BiCS Flash产品供应，预计2026年9月底前停止接单，并在2028年底完成最终出货，计划于2029年全面退出相关业务。同时，铠侠还将停产传统TSOP封装产品，进一步加剧低容量NAND市场的供应压力。

另一方面，美光则宣布调整业务重心，在维持现有客户基本需求的同时，逐步结束旗下消费级品牌“Crucial”相关业务，并将旧制程产能全面转向AI数据中心所需的高端存储芯片生产。业内认为，这将进一步压缩通用型低容量NAND产品的市场供应。

当前行业最大的隐忧在于，传统存储芯片产能退出速度，已经明显快于市场需求转型的节奏。市场研究机构TrendForce预测，2026年全球MLC NAND产能将较2025年大幅减少41.7%。此外，由于三星与美光在出售旧设备时，并未开放核心MLC制造技术授权，新进入厂商难以快速填补市场空缺。

在供给持续收缩的背景下，部分SLC与MLC NAND产品价格近期已出现明显上涨。其中，MLC 64Gb现货价格已从2025年底约6美元，大幅上涨至20至28美元区间，涨幅超过300%。市场甚至出现部分客户提前囤货的现象，以应对后续可能进一步恶化的缺货问题。

业内人士警告，当前全球存储产业过度向AI高附加值产品集中，正在削弱传统存储芯片供应链的稳定性。随着旧型NAND持续退出市场，未来家电、汽车电子及工业设备领域的成本压力与供应风险，预计将在2027年至2028年期间进一步扩大。