【深铭易购】资讯：台积电积极布局2nm制程，计划于2024年第二季度将其新竹宝山厂进行搬迁，并在2025年第四季度开始量产。初期月产能预计将达到3万片。同时，高雄厂也正在积极筹备，预计在2025年开始量产2nm制程，随后计划在一年后量产2nm加强版（N2P）制程，并将采用背面供电技术。

台积电在2021年底宣布计划在高雄建设两座12英寸工厂，用于生产7nm和28nm制程芯片。然而，之后台积电暂缓了7nm工厂兴建计划。今年8月，台积电宣布高雄厂将引入最先进的2nm制程技术。

根据台积电此前在法说会上透露的信息，他们已经在N2制程中研发出了背面供电线路解决方案，这一设计特别适用于高性能计算（HPC）应用。与基准技术相比，背面供电线路将提高芯片性能，速度提升10%至12%，逻辑密度提升10%至15%。台积电计划在2025年下半年向客户推出这项技术，并在2026年开始量产，这与供应链中的传闻相吻合。

台积电、三星和英特尔都在积极竞争GAAFET架构领导地位。根据三星的规划，他们将于2025年大规模量产2nm芯片，并计划在2027年开始量产1.4nm芯片。英特尔采用Gate All Around（GAA）技术的RibbonFET电晶体架构，其20A型号预计将在2024年上半年进入预备量产，而18A型号将在2025年开始量产。