ASML将推出2nm制造设备,英特尔已购6台
发布者:深铭易购 发布时间:2023-12-20 浏览量:--
【深铭易购】资讯:12月19日消息,据外媒sammobile的报道,韩国三星最近与荷兰半导体设备商ASML签署了价值1万亿韩元(约7.55亿美元)的协议。两家公司将在韩国共同投资建设半导体芯片研究工厂,并在该研究工厂推动新一代EUV半导体制造技术的开发。三星电子副董事长兼设备解决方案部门负责人Kyung Kye-hyun强调,这一最新协议将有助于他们获取下一代High-NA EUV光刻机。
Kyung表示,三星已获得High-NA EUV半导体曝光技术的优先权。此外,这次的协议也为三星创造了一个机会,可以长期优化High-NA光刻技术在DRAM和逻辑芯片生产中的应用。
报道强调,三星与ASML的协议是在韩国京畿道即将建成的芯片研究工厂中达成的。两家公司的工程师将共同努力改进EUV制程技术,以提高半导体生产的效率。显然,三星与ASML的合作关注的不仅是将2nm芯片的制造设备引入韩国,而且还关注它们如何更好地利用下一代光刻设备。
根据规划,英特尔计划在2024年上半年开始量产Intel 20A制程,下半年将量产更先进的Intel 18A制程。此前,英特尔表示已开始在其位于爱尔兰价值185亿美元的工厂采用EUV光刻机进行大量生产。爱尔兰厂是英特尔首次尝试使用EUV 技术进行大量制造。英特尔希望凭借其制造技术重新夺回领先地位。台积电和三星也计划在2025年开始量产2nm制程。而ASML最新的High-NA EUV光刻机是推动2nm制程量产的关键。
最新消息显示,ASML计划在2023年年底前发布首台商用High-NA EUV光刻机,其数值孔径NA将从0.33提高到0.55。这将使芯片制造商能够使用超精细图案化技术来制造2nm及以下更先进制程的芯片。据研究机构KeyBanc此前表示,一台0.55 NA EUV光刻系统的成本预计为3.186亿美元,而正在出货的0.33 NA EUV光刻系统则为1.534亿美元。
ASML计划在2024年生产10台High-NA EUV光刻机,据说英特尔已采购了其中6台。未来几年,ASML计划将High-NA EUV光刻机的产能提高到每年20套。这一系列的发展将为半导体行业带来重大的技术进步和生产能力提升。
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