【深铭易购】资讯：2月3日消息，根据韩媒报道，在最近的“SEMICON 韩国 2024”展会上，SK海力士副总裁Chun-hwan Kim透露，公司已经开始量产HBM3E内存，并计划在2026年大规模生产HBM4。

Chun-hwan Kim表示：“随着AI计算时代的到来，生成式人工智能（AI）正在迅速发展，市场预计将以每年35%的速度增长。”生成式AI市场的迅速增长需要更高性能的AI芯片的支持，这也将进一步推动对更高带宽内存芯片的需求。

早在去年8月21日，SK海力士宣布其开发的HBM3e DRAM已提供给英伟达（NVIDIA）和其他客户评估，并计划在2024年上半年量产，以巩固在AI内存市场的领导地位。现在，Chun-hwan Kim宣布，公司的HBM3E内存已经正式量产。

据介绍，SK海力士的HBM3e在1024位接口上拥有9.6 GT/s的数据传输速率，单个HBM3E内存堆栈可提供1.2 TB/s的理论峰值带宽，对于由六个堆栈组成的内存子系统来说，带宽可高达7.2 TB/s。然而，该带宽是理论上的。例如，英伟达（Nvidia）的H200所集成的HBM3e内存仅提供高达4.8 TB/s的传输速率，可能是出于可靠性和功耗方面的考虑。

随着人工智能和高性能计算（HPC）行业的需求持续增长，具有2048位接口的下一代HBM4内存成为各内存制造商的重点。

Chun-hwan Kim明确表示，SK海力士将在2026年开始生产HBM4，并声称这将推动人工智能市场的巨大增长。他认为，除了向下一代转型之外，认识到HBM行业面临着巨大需求也很重要。因此，创建一个既具有无缝供应又具有创新性的解决方案更为重要。Chun-hwan Kim认为，到2025年，HBM市场预计将增长40%，SK海力士已经早早定位以充分利用这一市场。

同样，美光和三星也计划在2026年量产HBM4。

据美光介绍，HBM4将使用2048位接口，可以将每个堆栈的理论峰值内存带宽提高到1.5 TB/s以上。为了实现这一目标，HBM4需要具有约6 GT/s的数据传输速率，这将有助于控制下一代DRAM的功耗。同时，2048位内存接口需要在内插器上进行非常复杂的布线，或者仅将HBM4堆栈放置在芯片顶部。在这两种情况下，HBM4都会比HBM3和HBM3E更昂贵。