【深铭易购】资讯：HBM高带宽存储芯片已广泛应用于先进的人工智能（AI）芯片。根据业内消息，英伟达的质量测试对存储制造商提出了挑战，因为与传统DRAM产品相比，HBM的良率明显较低。

先前，台积电、三星等公司在加工单一硅晶圆时一直面临维持最佳水平良率的挑战，而当前这一问题已扩展到HBM行业。据称，美光、SK海力士等存储制造商在英伟达下一代AI GPU的资格测试中将竞争激烈，而厂商们的主要难题将是提高产品的良率。

据悉，在HBM制造过程中，多层堆叠的复杂性导致了较低的良率。小芯片之间通过硅通孔（TSV）工艺相连，这增加了制造过程中出现缺陷的可能性。如果HBM的一层出现缺陷，整个堆叠都将被废弃，因此提高良率变得困难。

市场消息人士透露，目前HBM存储芯片的整体良率约为65%，其中美光、SK海力士似乎领先于竞争对手。据悉，美光已经开始为英伟达最新的H200 AI GPU生产HBM3e存储芯片，因为其已通过Team Green设定的认证阶段。

SK海力士副社长金基泰在2月21日的官方消息中指出，尽管外部不稳定因素仍然存在，但今年存储芯片市场有望逐渐回暖。PC、智能手机等应用不仅将推动HBM3e的销量增长，还将促使DDR5、LPDDR5T等产品需求上升。该高管表示，公司旗下的HBM已全部售罄，已经开始为2025年做准备。