【深铭易购】资讯：荷兰媒体报道，光刻机领导厂商ASML确认，他们推出的第三代标准型（0.33 NA）EUV光刻机NXE:3800E引入了部分下一代High-NA EUV光刻机的技术，提升了工作效率。

本月中旬，ASML已开始交付NXE:3800E，虽然数值孔径仍为0.33，但性能和精度较上一代有显著提升。晶圆处理速度达到每小时处理195片，比上一代NXE:3600D的每小时约160片提升了22%，可能提高至每小时220片。新设备晶圆对准精度小于1.1纳米，可支持未来几年内的3纳米及2纳米芯片制造。

ASML表示，下一代High-NA高数值孔径EUV将采用更宽光锥，但会增加晶圆曝光时的光损失。为此，ASML提高光学系统放大倍率，调整光线入射角以降低影响。然而，光罩尺寸不变，增加光学系统放大倍率会影响晶圆量。为了提升工作效率，需要提高High-NA EUV光刻机工件台的运动速率。

同时，ASML工程师开发了兼容0.33NA数值孔径系统的新款快速工件台运动系统。虽然NXE:3800E的光学元件与之前的NXE:3600D基本相同，但工作效率的提升主要来自晶圆移动速度的提高。与NXE:3600D相比，NXE:3800E的工件台移动速度提升了两倍，曝光步骤总时间减少了约一半。

NXE:3800E的效率提升也将节约能源消耗。ASML发言人表示，整体能耗可节约约20%~25%。