【深铭易购】资讯：6月12日，据彭博社报道，美国拜登政府希望进一步限制中国获取用于制造尖端芯片的全环绕栅极（GAA）晶体管技术。同时，有消息称，美国还将限制高带宽内存（HBM）技术的对华出口，而HBM技术对人工智能加速器至关重要。

报道称，GAA晶体管技术能够显著提升晶体管密度，并提供功率和性能优势，但目前仅用于最尖端的工艺节点。现阶段，只有三星在其3nm节点上生产了这项技术。英特尔计划在其Intel 20A节点中采用GAA技术，台积电则计划在2nm制程上采用GAA技术。

美日欧现有的对华出口管制政策，已经限制了中国获得16/14nm以下先进制程所需的半导体制造设备。尽管如此，中国仍有其他方法可以规避这些限制并提升其现有工艺节点的性能。据此前消息，中国已具备7nm制程的量产能力，并有可能在无需EUV光刻机的情况下实现5nm制程的量产。

中国晶圆制造商可能会将GAA晶体管技术移植到其现有的7nm工艺节点上。尽管这无法完全发挥3nm GAA及以下工艺的技术优势，但在功率和性能方面将有所提升。由于GAA通过单一图案完成，中国可能利用其现有的芯片制造工具实现这一目标。

华为云服务首席执行官张平安近日表示，他认为中国在短期内难以获得3.5nm或更小制程的芯片制造设备，因此应更好地利用现有的7nm工艺节点。

目前，美国已对GAA技术实施了出口管制，但尚未有进一步加强限制的官方消息。相关传闻均为不具名信息，真实性仍有待确认。

不过，对HBM出口的新限制可能即将出台。HBM对人工智能芯片开发和生成式人工智能模型的发展至关重要，而人工智能技术是美国重点关注并对华实施限制的领域。