【深铭易购】资讯：6月13日消息，DRAM大厂美光公司去年宣布，计划斥资6,000至8,000亿日元在日本广岛建设新的DRAM工厂。该项目预计于2026年初动工，最快将于2027年底前完成厂房建设及设备安装，并投入运营。

据了解，美光广岛的DRAM新厂将紧邻现有的Fab 15。新厂初期规划为DRAM晶圆厂，不包括后段封装及测试，产能将重点集中在HBM（高带宽存储）产品。同时，美光广岛DRAM新厂将首次引入极紫外光（EUV）光刻设备，用于生产先进的1-Gamma制程DRAM，后续还将导入1-Delta制程，因此EUV设备的安装数量将大幅增加，并将进一步优化无尘室环境。

至于广岛Fab 15，目前主要负责HBM晶圆的量产，包括前段晶圆生产及硅穿孔（TSV）制程，后段堆叠及测试制程则由台湾的台中后段厂负责。另据市场消息，随着HBM需求的扩张，台湾OMT（One Mega Taiwan）将从明年起加入HBM晶圆的量产行列，参与晶圆生产及TSV制程。

市场研究机构TrendForce指出，由于HBM市场需求旺盛，且生产良率较低、晶粒尺寸较大等因素，相同位产出的HBM相比DDR5约需消耗三倍的投片量，并会影响传统DRAM的产能。

如果美光希望加速HBM市场的渗透，考虑到2025年的产能已被客户预订一空，新厂建设需求迫在眉睫。同时，美光计划在2025年保持HBM产品线的市场占有率在20%至25%之间，目标是提升至与传统DRAM相当的水平。