【深铭易购】资讯：据业内消息人士透露，三星电子代工部门首次将其先进工艺应用于第六代高带宽存储器（HBM4）中关键的“逻辑芯片”生产，并已在初期测试中取得了良好的成果。据悉，采用三星电子4纳米制程生产的逻辑芯片，测试良率已超过40%，为未来实现HBM4的开发与量产奠定了坚实基础。

一位半导体行业专家指出：“初期良率达到40%已经是一个相当理想的水平，意味着可以迅速推进商业化进程。通常代工良率在初期仅为10%左右，随着进入量产阶段，良率将持续改善。”

在HBM3E（第五代高带宽存储器）市场上，三星电子目前落后于SK海力士和美光科技，为了在下一代HBM4市场迎头赶上，三星正全力投入研发与生产。HBM4逻辑芯片采用先进代工工艺，不仅能够提升整体性能，还可根据客户需求进行定制化设计，积极响应“定制HBM”这一快速增长的市场趋势。

当前，三星HBM4业务的核心在于其内存事业部正同步开发的第六代（1c）10纳米级DRAM。HBM4将采用12层封装，结合1c DRAM与高性能逻辑芯片。如果三星成功实现1c DRAM的稳定量产，将有望在HBM4的性能竞争中抢占先机。

另一位业内人士分析表示：“对于三星而言，接下来的关键在于如何进一步提升DRAM与逻辑芯片在HBM中的集成稳定性，以及完善整体封装技术。”