【电子元器件采购网】11月18日资讯，三星全力发展晶圆代工业务，规划投入1,160亿美元（约新台币3.3兆元），除了发表采用自家5纳米制程生产的5G芯片，又积极宣传3纳米技术蓝图，将在2022年量产3纳米晶片，是与台积电近年先进制程竞逐赛中，最接近的一次。

三星虽然努力追赶，但在高阶制程订单斩获仍有限，台积电在7纳米与5纳米顺利量产至逐步放量都领先三星约两年，台积电表示不评论竞争对手，在技术上，先前台积电已设定的技术蓝图，目前计划并未改变，台积电因先进制程领先，独揽苹果处理器代工大单，并囊括高通、联发科、AMD、英伟达等大厂高端芯片订单，若三星发展3纳米进程顺利并提升良率，与台积电的抢单大战也将随之引爆。

台积电在持续扩展5纳米制程基础上，推出增强版的4纳米制程，预订2021年第4季风险试产，2022年投入量产，同时也着手3纳米研发，目标2021年试产，2022年下半年量产，台积电3纳米制程采用FinFET（鳍式场效电晶体）架构，以提供客户最成熟、同时效能和成本最佳的技术选项，看好3纳米制程推出后，将具备最佳的PPA（效能、功耗及面积），并为最先进的制程技术。

三星开始要撼动晶圆代工产业，希望能争取到与台积电一样，在2022年量产3纳米，而台积电的预期是2021年试产3纳米、2022年投入量产，如果三星成功，对于该公司的远大目标将是一大突破，三星期望借由采用环绕闸极技术（Gate-All-Around；GAA）来精进制程，该技术和台积电3纳米采用FinFET不同。