【深铭易购】资讯：中国台湾当局近日计划加强对先进半导体制程技术出口及企业对外投资的管控。根据最新修订的《产业创新条例》第22条，将正式实施所谓的“N-1”技术出口限制政策，禁止最先进的制造工艺输出海外，违规企业将面临高额罚款。该法规预计最早将于2025年底生效，或将对台积电未来海外布局产生深远影响。

行政院院长卓荣泰明确表示，N-1政策将适用于台积电赴美设厂项目。按照新规定，台积电仅能在海外部署比其当前最先进工艺落后一个世代的技术，意在确保中国台湾在半导体领域的核心技术优势不被外流。

此前，中国台湾相关法规并未对先进制程技术的出口做出明确限制，此次修订则为监管提供了法律依据。该政策正值台积电大幅扩大其美国投资计划之际，该公司已宣布将其在美国的总投资从原定的650亿美元提高至1650亿美元，时间表尚未公布。

目前，台积电的尖端制程为3纳米N3P工艺，预计将在2024年底开始量产2纳米N2节点，成为其新一代旗舰技术。而到2026年底，台积电还将推出两个新旗舰节点：N2P，针对客户端低功耗应用；以及A16（1.6纳米），采用Super Power Rail背面供电设计，专为高性能计算（HPC）而设。

关键悬念在于，中国台湾是否将把N2P与A16认定为“旗舰节点”并纳入出口限制范围，或是否会在这些技术推出后一年内禁止其出口，仍有待后续政策明确。同时，台积电未来更先进的节点——如A14与A16P——是否也会受限，也引发业界广泛关注。

经济事务主管部门表示，相关细则将于法案通过后六个月内公布施行时间。这意味着，新规最快可能于2025年底正式实施。

值得注意的是，此次修法还新增了惩罚性条款。未经核准对外投资的企业，将被处以新台币5万至100万元（约合人民币1.1万至22.5万元）罚款。若获批企业未能纠正危害国家安全或损害经济发展的违规行为，罚款上限将提高至新台币50万至1000万元（约合人民币112万元至225万元），并可多次处以。

不过，考虑到台积电计划在美国投入高达1650亿美元的资金，上述罚款额度对于其财务影响有限，但政策背后所透露出的监管趋严信号，仍可能对整个半导体产业链产生战略性影响。