【深铭易购】资讯：据行业权威消息，中国本土存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）已重启大规模设备投资计划，全面引进先进生产设备，进一步扩大产能，以实现DDR5新一代DRAM的量产，并在此基础上加快研发和推出高带宽内存产品HBM3。消息人士透露，长鑫存储已自第三季度起陆续下订关键生产设备，并在安徽合肥生产基地建设新产线。公司原计划在年初大幅采购新设备，以迅速提升产能，但由于DDR4停产节奏以及美国可能收紧出口管制的影响，部分设备到厂时间被推迟。

业内预测，到2026年，长鑫存储HBM产品月产能有望达到5万片晶圆，相当于三星与SK海力士届时HBM总产能的20%至25%。截至2025年第一季度，长鑫存储的DRAM产能已占据全球市场约6%的份额。然而，由于美国持续加强对华出口限制，中国大陆在获取HBM3及更高规格HBM产品方面仍面临阻碍。据英国《金融时报》报道，中美贸易谈判中，中方已要求美方放宽HBM相关出口管制。

在此背景下，长鑫存储正加速推进HBM的国产化进程。目前，公司已完成HBM2的开发，并正全力推动HBM3的研发与量产。为配合新一代产品布局，长鑫存储已停止DDR4生产，并将原有DDR4生产线设备升级至DDR5。然而，由于外部政治与贸易环境的不确定性，美国方面正考虑将长鑫存储列入实体清单，导致部分进口设备交付继续延后。

从技术层面看，长鑫存储在HBM领域与国际龙头SK海力士、三星仍存在明显差距。目前，三星与SK海力士已采用10纳米级1b制程的DRAM生产HBM3e，并计划在1c制程节点上量产HBM4。市场分析认为，长鑫存储HBM产品的商业化与规模化量产仍需较长时间，因此其在2026年全球HBM市场中的影响预计仍有限。