HBM堆栈增层,旺宏下季NOR Flash涨30%
发布者:深铭易购 发布时间:2025-11-11 浏览量:--
【深铭易购】资讯:受AI发展带动,存储器市场迎来新一波升级商机。旺宏(2337)随AI服务器采用的高带宽存储器(HBM)规格从HBM3E升级至HBM4,由于HBM4堆栈层数增加,推动编码型快闪存储器(NOR Flash)用量约提升50%,导致NOR Flash供给出现紧张。业内传出消息,旺宏预计将在明年第一季调高NOR Flash报价三成。
近期存储器市场火热,DDR4、DDR5价格持续上扬,储存型快闪存储器(NAND Flash)行情走强。在NOR Flash也跟随涨价的背景下,产业景气持续向好。
旺宏董事长吴敏求在昨(10)日出席成电论坛时表示,AI确实带动存储器需求与价格上升。NOR Flash在服务器与数据中心应用广泛,目前主流产品为512Mb,同时高容量1Gb至2Gb需求也逐渐增加,对公司发展有利。对于市场所称“进入超级循环周期”,吴敏求认为尚难下定论。他指出,价格确实上涨,缺货情况也存在,但缺口规模及持续时间仍无法明确判断。
吴敏求分析,过去数据中心以CPU为核心,如今转向GPU架构后,运算效能大幅提升,各大云端服务商正加速数据中心改造。AI热潮能持续多久,需观察各家投入动能。
供应链指出,针对生成式AI、高效能运算(HPC)、高阶显卡及服务器等需要处理大型数据集和复杂运算的应用,HBM4的性能优势明显。相比HBM3,HBM4在每个堆栈通道数增加一倍,同时保持更高带宽、更低功耗,实体占用空间相对增大。随着AI服务器从HBM3E升级至HBM4,堆栈层数增加,市场对NOR Flash需求随之提升约50%。旺宏订单充足,预计明年首季NOR Flash报价将调涨三成,为业绩注入强劲动力。
业内认为,HBM4作为新一代高带宽存储器核心升级,不仅提升系统性能,也带来NOR Flash结构性需求机会。作为全球主要NOR Flash供应商,旺宏直接受惠于此趋势。
注:图文源自网络,如有侵权问题请联系删除。
1

产品分类 














