【深铭易购】资讯：据韩国媒体DealSite报道，为实现明年利润最大化目标，三星电子正评估对基于10nm级工艺的第四代（1a）DRAM所制HBM3E进行大幅减产，并将资源转向毛利率更高的10nm级第五代（1b）通用DRAM，以优化产品结构并提升整体盈利能力。尽管1a DRAM已完成重新设计，但公司内部认为其产线利用率仍偏低，减产并转移产能已成为重点讨论方向。接近三星的相关人士透露，公司正研究将约30%至40%的1a DRAM产能切换至1b DRAM，若连同成熟制程的转换投资一并推进，预计可在短期内每月新增约8万片晶圆的1b DRAM产能。

目前，三星的HBM3与HBM3E均建立在1a DRAM之上，而1b DRAM主要用于DDR5、LPDDR5X、GDDR7等通用内存产品；即将进入量产阶段的HBM4则将基于1c与1b DRAM产能。受AI需求高涨、HBM占用产能以及DRAM短期扩产受限等多重因素影响，1b产能对应的通用DRAM已出现供不应求并推动价格持续上行。相较之下，HBM3E受制于价格与成本结构，盈利弹性明显不及通用DRAM。三星由此考虑下调HBM3E产出、扩大1b通用DRAM供给，以扩大盈利空间并提升现金流质量。

公司内部人士表示，三星正以“明年实现更强外部业绩”为目标进行产能重配，核心方向是在营业利润层面超越SK海力士，并在盈利能力上形成更大优势，因此将在行业复苏周期内保持DRAM较高增长并优先投向高毛利产品。财务层面看，近年三星与SK海力士的盈利差距持续扩大，半导体景气反转后差异仍然明显。在产品盈利结构上，尽管三星12层HBM3E的良率已明显改善、营业利润率约在30%上下，但受供需紧张推升，通用DRAM的利润率被认为可超过60%，显著高于HBM3E。业内同时预测，明年12层HBM3E的年度均价可能还将下滑超过三成，这进一步削弱其盈利吸引力。

在客户结构方面，三星虽已于下半年进入英伟达HBM3E供应体系，但因英伟达已从SK海力士与美光获得主要供给并计划转向HBM4，三星在相关订单中的占比被认为有限；AMD亦将逐步切换至HBM4。半导体行业人士评价称，三星虽通过认证并开始供货，但明年在英伟达体系中的份额或仍处于个位数水平，加之HBM3E与通用DRAM之间的盈利差距，短期内继续扩大HBM3E产能并不具经济性。除英伟达、AMD外，三星还向博通、谷歌等大型科技公司供货，潜在减产或带来波动，但公司内部判断，若美光因HBM4重新设计导致竞争力阶段性下滑，其明年HBM产能可能仍集中在HBM3E，从而为其他ASIC客户提供替代性供给。

对下一代HBM4的投入上，三星态度依旧审慎。公司正推进将现有1c DRAM月产能由2万片提升至约8万片，并把部分成熟制程升级为1c工艺，目标在明年年底前将1c DRAM总产能提升至约15万片晶圆，但市场亦传出其酝酿进一步优化投资节奏的声音。与此同时，三星已决定对平泽与华城园区的部分NAND闪存产线进行改造并转向通用DRAM生产，作为面向价格周期的战略性配置调整，以把握通用DRAM涨价窗口期并获得更具持续性的利润改善。