【深铭易购】资讯：最新市场数据显示，今年2月存储芯片现货价格整体上行，其中NAND快闪存储晶圆涨幅最为明显。专家提醒，随着供需缺口持续扩大，现货价格快速攀升，采购资金压力同步增加，若趋势不变，行业或面临周期性风险。

具体来看，DDR5 16G（2Gx8）芯片均价升至39美元，环比上涨7.4%；1Tb TLC快闪晶圆涨幅达25%，升至25美元，成为本月涨幅冠军。尽管春节假期使2月中旬交易降温，但节后市场迅速回暖，价格持续上行。

DDR4市场表现分化明显：16Gb（2Gx8）几乎持平，仅微涨0.26%至78.1美元；8Gb（1Gx8）上涨6.8%至33美元。相比今年1月普遍20%~30%的涨幅，DDR4涨势明显放缓；DDR3 4Gb（512Mx8）则上涨7.5%至5.70美元。专家分析，这主要为季节性因素影响，并非市场压力缓解。

合约价格预期方面亦大幅上调。TrendForce在上月初将2026年第一季度传统DRAM合约涨幅由55%~60%上修至90%~95%，PC DRAM预计季增将翻倍，创历史新高；NAND合约涨幅也由33%~38%上调至55%~60%。

推动价格上涨的主要原因在于AI基础设施建设带动服务器DRAM与HBM需求持续释放，吸纳大量产能，使传统DRAM及消费级NAND供应趋紧。

在NAND市场方面，2月现货价格上涨只是长期趋势的延续。自去年10月以来，1Tb QLC/TLC晶圆价格已飙升约三倍，512Gb TLC更猛涨近五倍。背后原因是厂商将更多产能投向高利润的企业级SSD，压缩模组厂晶圆供应，持续推高市场价格。