【深铭易购】资讯：2023年9月6日 - 由国家第三代半导体技术创新中心主办的第三代半导体产业创新发展大会在南京江宁开发区如火如荼举行。此次盛会亮点频现，令人瞩目，不仅为南京，也为整个国家第三代半导体领域注入了新的活力。

国家第三代半导体技术创新中心（南京分部）的领导者在大会上兴奋地宣布，一期项目已顺利完成并投入生产。这个项目在原有的11号厂房区域上崭露头角，以打造6英寸SiC电力电子器件研发和中试平台为目标。这里创造了一个具有自主知识产权的碳化硅器件技术体系，实现了国内首次的6英寸碳化硅MOSFET批量生产技术突破。

一期项目的顺利启动标志着二期项目的雄心壮志。计划于2024年开建，年产能将达到20万片8英寸圆片。工厂规划将包括8英寸第三代半导体芯片制造、先进晶圆封装以及模块封装平台，旨在实现多功能的孵化、成果转化、学术交流和公共服务。

国家第三代半导体技术创新中心的建设始于2021年3月，得到了国家科技部和财政部的批准。采用了“1总部+6中心”的模式，由中电科集团总部领导，分布于北京、南京、苏州、深圳、长沙和太原六个中心。南京分部的成立充分展示了南京市人民政府、中国电子科技集团有限公司、南京江宁经济技术开发区管理委员会和中国电子科技集团公司第五十五研究所的卓越合作。其目标紧紧聚焦于第三代半导体领域的关键核心技术和重大应用方向，旨在攻克材料、器件、工艺和装备技术上的挑战，推动我国半导体产业迈向更高水平。这个令人兴奋的消息将进一步激发产业创新和技术发展的活力，为南京乃至全国的科技进步注入新的动力。