【深铭易购】资讯：根据业内消息，三星电子计划对其位于中国西安的NAND闪存工厂进行改造，将目前生产的128层（V6）NAND闪存生产线升级至236层（V8）。三星已经决定在明年初开始设备更换，并已通知相关行业，计划在2025年前完成过渡。

鉴于当前经济形势不景气，128层NAND库存积压，因此三星决定减少旧产品产量，以满足未来对236层NAND的强劲需求，同时三星正在加速向先进工艺的转型。

除了西安工厂的升级，平泽第一工厂（P1）的NAND工艺也计划从128层升级至236层，而这一转变已经开始进行。

西安工艺升级备受关注，因为之前美国的半导体设备法规禁止向中国出口能够生产200层以上NAND的设备。西安工厂是三星的关键工厂，约占其NAND产量的40%。然而，随着市场情况恶化，128层NAND的生产增加，库存也逐渐积累，因此三星急需进行工艺改进。

今年10月，美国将三星和SK海力士列为“经过验证的最终用户（VEU）”，使三星可以引进设备而无需单独申请。此后，三星决定调整工厂前端流程。

NAND闪存单元的数量即存储单元（Memory Cell）的层叠数量，层数越多，容量越大。目前，236层NAND是三星电子目前最先进的NAND，三星计划在明年初开始生产下一代NAND（V9），约有300层。