长江存储控告美光:侵犯8项3D NAND专利

发布者:深铭易购     发布时间:2023-11-13    浏览量:--

【深铭易购】资讯:根据媒体报道,最近美国加利福尼亚北区法院公布的信息显示,长江存储已于11月9日起诉美光科技有限公司及其全资子公司美光消费产品集团有限责任公司,指控其侵犯了8项美国专利。

在专利侵权起诉书中,长江存储表示此举旨在制止美光广泛而未经授权地使用其专利创新。长江存储指控美光使用其专利技术,以应对来自长江存储的竞争,同时获取和保护市场份额。诉讼的一个方面旨在解决美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash(闪存)市场来阻止竞争和创新的问题。

据了解,长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”、“11,501,822”、“10,658,378”、“10,937,806”、“10,861,872”、“11,468,957”、“11,600,342”和“10,868,031”的专利。被指控侵权的美光产品包括96层、128层、176层和232层的3D NAND产品。

在起诉书中,长江存储强调其已经成为全球3D NAND市场的重要参与者,不再是新秀。去年11月,TechInsights公司的分析和跟踪结论显示,长江存储在3D NAND闪存领域超过了美光,成为领导者。

长江存储成立于2016年7月,总部位于武汉,是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时提供完整的存储器解决方案。2018年,长江存储开始量产第一代32层3D NAND Flash芯片,2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND闪存,2020年推出两款128层闪存产品。尽管长江存储曾推动扩产,但由于受到美方打压,未能获取先进的美日荷设备,导致产能扩张受到限制。此次专利诉讼对长江存储来说是维护自身权益的一部分。

值得注意的是,2022年10月,美国商务部工业和安全局发布了出口管制新规,限制对中国出口芯片制造设备等,使长江存储NAND Flash芯片的层数被限制在已量产的最新工艺。同年12月,美国将长江存储列入出口管制的“实体清单”。

NAND Flash和DRAM目前是两种主要的存储介质,NAND Flash可用于制造SSD(固态硬盘)等存储器,广泛应用于手机、服务器、PC等产品。根据集邦咨询数据,今年第二季度,全球NAND Flash品牌厂商中,三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市场份额分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%,其他厂商市场份额仅占3.8%。

注:图文源自网络,如有侵权问题请联系删除。