【深铭易购】资讯：12月12日消息，尽管台积电和三星的2纳米制程要等到2025年才能实现量产，但2纳米订单竞争已经提前开始。据知情人士透露，为了争夺高通和英伟达的新一代高端芯片，三星将对其2纳米代工报价大幅打折。

目前，高通和英伟达的高端芯片主要依赖于台积电的代工，但对于这些芯片制造商来说，多元化晶圆代工是一项基本策略，以减少对特定供应商的依赖。英伟达首席财务官柯蕾丝（Colette Kress）最近在参加瑞银全球科技大会时表示，英伟达不排除将增加英特尔代工（IFS）作为其晶圆代工供应商，以生产新一代芯片，这可能打破目前台积电独家代工英伟达AI芯片的局面。

顾问公司RHCC的CEO Leslie Wu表示，2纳米技术的主要客户正在寻求将芯片生产分散到多个代工厂，以降低对台积电的风险。

报道显示，台积电已经向苹果、英伟达等大客户展示了2纳米原型测试成果。与此同时，三星不仅将推出2纳米原型，还提供折扣价，以吸引高通、英伟达等知名客户的兴趣。

报道指出，高通计划使用三星SF2（2纳米）制程生产下一代高阶智能手机芯片。去年6月底，三星宣布全球首发量产了3纳米（SF3）制程，并成为首家采用环绕式栅极（GAA）晶体管架构的厂商。

三星表示：“我们已经充分准备好，在2025年量产SF2。由于我们是首家跨足并转型GAA架构的公司，我们希望从SF3进展至SF2会相对流畅。”

然而，知情人士透露，目前三星3纳米芯片的良率仅为60%，远低于客户的预期，而在生产复杂程度相当于苹果A17 Pro或英伟达图形处理器（GPU）时，良率可能会进一步下降。

美国避险基金Dalton Investments的分析师James Lim表示：“三星将2纳米视为扭转局势的关键。不过，业界对于三星是否能在制程升级方面超越台积电仍然表示怀疑。”

台积电重申其目前2纳米制程的顺利进展，并计划按计划在2025年量产，届时将是业界在密度和能源效率上最先进的半导体技术。台积电先前在法说会上指出，2纳米在高性能计算和智能手机相关应用方面引起客户的兴趣和参与，预期2纳米在2025年推出时将是业界最先进的半导体技术。台积电规划，2纳米背面供电方案预定在2025年下半年推出，并计划在2026年开始量产。

除了台积电和三星积极争夺2纳米订单之外，英特尔也将加入2纳米晶圆代工的竞争。目前，英特尔正在按照之前提出的四年内量产五个先进制程工艺节点的计划推进。最新的Intel 3制程计划将于今年底推出，2024年上半年将量产Intel 20A，下半年将量产Intel 18A。后两代制程都将采用新型环栅晶体管架构（RibbonFET）和背面电力传输（PowerVia）技术。

根据英特尔今年7月披露的信息，其将利用Intel 18A制程为爱立信制造定制5G SoC（片上系统），为未来的5G基础设施打造高度差异化的领先产品。