【深铭易购】资讯：1月30日消息，三星公司已经正式宣布，将在2月18日至2月22日期间于美国旧金山举行的IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上推出其最新的技术成果——280层堆叠的3D QLC NAND Flash。这款新型3D QLC NAND Flash具有目前最高的数据储存密度。

根据即将发布的演讲主题《一颗280层1Tb 4b/cell 3D-NAND Flash存储器，拥有28.5Gb/mm²的面积密度和3.2GB/s的高速读取速率》来看，这款280层堆叠的1Tb QLC 3D NAND Flash将具备以下特点：

首先，这款280层3D NAND Flash通过垂直堆叠实现了更高的储存密度。

其次，单颗芯片容量达到了1Tb，即1024 G比特。

第三，“4b/cell”表示每个储存单元可以储存4个二进位，即每数据占用0.25个储存单元。

第四，“28.5Gb/mm²” 是指每平方毫米的面积内可存储28.5Gb的数据，这一储存密度非常惊人。

第五，“3.2GB/s的高速读取速率”表示该闪存芯片的最高读取速度可达3.2GB/s，而“High-Speed 10 Rate”可能指的是特定的接口标准或传输协议。

根据三星此前公布的PPT，其QLC NAND V9闪存将推出最高8TB的M.2硬盘，I/O速度超过单个芯片2.4Gbps，原始性能有望与当前的TLC闪存直接竞争。不过，具体上市产品的表现仍需进一步观察。敬请期待。