【深铭易购】资讯：2月27日，三星宣布成功开发出业界首款12层堆叠的HBM3E 12H高带宽存储芯片，这也是目前容量最大的HBM产品之一，达到36GB，带宽高达1280GB/s。相较于8层堆叠的HBM3产品，这款新品在容量和带宽方面均提高了50%以上，显著提升了人工智能（AI）训练和推理速度。

三星电子存储产品规划执行副总裁Yongcheol Bae表示，随着业界AI服务供应商对更高容量HBM的需求不断增加，我们研发的全新HBM3E 12H产品正是为了满足这一需求而设计的。

在技术方面，三星HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF），使得12层产品具有与8层HBM芯片相同的高度，以满足当前HBM封装的要求。这项技术预计在未来将带来更多优势，特别是在更高层数堆叠方面，因为业界正在致力于减轻芯片裸片变薄带来的翘曲问题。三星通过不断降低NCF材料的厚度，并实现了当前业界最小的芯片间隙（7微米），同时消除了层间空隙，使新技术相较于之前的HBM3 8H产品，垂直密度提高了20%以上。

三星表示，TC NCF技术还可以通过在芯片之间使用不同大小的凸块来改善HBM的热性能。在芯片键合的层面上，较小的凸块用于信号传输区域，而较大的凸块则用于需要散热的区域。这一方法有助于提高产品产量。

根据了解，英伟达的H200旗舰AI芯片目前已经宣布采用HBM3E存储，而下一代B100预计也将采用HBM3E。目前，三星、SK海力士和美光等三大存储芯片制造巨头都在集中力量发展HBM技术。

三星表示，HBM3E 12H将成为未来的最佳解决方案，有望降低数据中心的总成本（TCO）。在性能方面，与HBM3 8H相比，新产品的人工智能训练平均速度可提高34%，用于推理服务支持的用户数量最高可增加11.5倍以上。

目前，三星已经开始向客户提供HBM3E 12H样品，并计划在今年上半年进行量产。