【深铭易购】资讯：根据韩国业界消息，三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充技术（MUF）。目前，三星已在现有的RDIMM服务器内存中应用热压非导电薄膜（TC NCF），但消息人士称，三星最近在3DS RDIMM中使用大规模回流(MR) MUF工艺，与TC NCF相比，吞吐量有所提升，但物理特性却恶化了。

据悉，MUF是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV) 技术后，注入到半导体之间的材料。它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试后获得的结论是，MUF不适用于高频宽存储器 (HBM)，但非常适合3DS RDIMM，而目前3DS RDIMM使用硅通孔 (TSV) 技术制造，主要应用于服务器上。

据悉，三星芯片部门计划与三星SDI合作开发自研MUF化合物，目前已订购MUF应用所需的模压设备。

不过，三星预计将继续在HBM中使用TC NCF，预计美光也将采取类似的做法，可以避免多层晶圆堆叠后的翘曲问题。