【深铭易购】资讯：晶圆代工大厂联电召开年度股东大会，共同总经理简山杰表示，与英特尔合作开发12nm制程平台将是联电未来技术发展的关键点，预计2026年开发完成，2027年量产。

今年1月，联电与英特尔宣布双方将合作开发12nm FinFET制程平台，以应对移动、通信基础设施和网络等市场的快速增长。这项长期合作结合了英特尔在美国的大规模制造产能和联电丰富的成熟制程晶圆代工经验，不仅扩充了制程组合，还提供了更具区域多样性和韧性的供应链，帮助全球客户做出更优质的采购决策。

联电共同总经理王石表示，联电与英特尔在美国合作开发12nm FinFET制程，是联电追求具成本效益的产能扩张和技术节点升级策略的重要一环，此举延续了联电对客户的一贯承诺。这项合作将帮助客户顺利升级到这一关键技术节点，同时受益于扩展北美市场产能所带来的供应链韧性。联电期待与英特尔展开战略合作，利用双方的互补优势，扩大潜在市场，并大幅加快技术发展的时间表。

在股东大会上，简山杰还指出，联电积极开发的12nm FinFET制程平台相较于前代14nm FinFET性能大幅提升，芯片尺寸更小，功耗更低，充分发挥了FinFET在性能、功耗和闸密度方面的优势，广泛应用于各种半导体产品。联电12nm FinFET制程平台预计2026年开发完成，2027年量产。